DMN3730UFB4-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3730UFB4-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3730UFB4-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Αποθέμα:

20540 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882944
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3730UFB4-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
750mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
470mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3730

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN3730UFB4-7TR
DMN3730UFB4-7CT
DMN3730UFB4-7DKR
DMN3730UFB47

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN4468LSS-13

MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

diodes

DMN3067LW-7

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

diodes

DMN2040UVT-13

MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R

diodes

DMN3042LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN