DMN2008LFU-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2008LFU-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2008LFU-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Αποθέμα:

5679 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888766
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2008LFU-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250A
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1418pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-UFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2030-6 (Type B)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2008

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2008LFU-7DIDKR
DMN2008LFU-7DITR
DMN2008LFU-7DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN

diodes

DMN2400UV-7

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

diodes

DMNH6035SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO