DMNH6035SPDW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMNH6035SPDW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMNH6035SPDW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 33A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Αποθέμα:

12888802
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMNH6035SPDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
879pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type R)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMNH6035

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMNH6035SPDW-13DI-DG
31-DMNH6035SPDW-13TR
DMNH6035SPDW-13DI
31-DMNH6035SPDW-13CT
31-DMNH6035SPDW-13DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

diodes

DMC62D0SVQ-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

diodes

DMP2060UFDB-7

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

diodes

DMN2005DLP4K-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN