Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMJ70H1D3SK3-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMJ70H1D3SK3-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 4.7A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Αποθέμα:
12979230
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMJ70H1D3SK3-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
264 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
57W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMJ70
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMJ70H1D3SK3-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD7NM80
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4929
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD7NM80-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.69
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMPH4011SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
NVTYS029N08HLTWG
T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
