NVTYS029N08HLTWG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVTYS029N08HLTWG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVTYS029N08HLTWG-DG

Περιγραφή:

T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12979240
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVTYS029N08HLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.6A (Ta), 22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 20µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
431 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-LFPAK
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1205, 8-LFPAK56

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVTYS029N08HLTWGDKR
488-NVTYS029N08HLTWGTR
488-NVTYS029N08HLTWGCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
micro-commercial-components

MCU01N60-TP

MCU01N60-TP

diodes

DMN3110SQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMTH84M1SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMNH6069SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333