Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG4511SK4-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG4511SK4-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Αποθέμα:
2496 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888121
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG4511SK4-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel, Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
35V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A, 5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
1.54W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252-4L
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG4511
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMG4511SK4-13DICT
DMG4511SK4-13DIDKR
DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH4007SPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50
DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN