DMN2014LHAB-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2014LHAB-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2014LHAB-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Αποθέμα:

2886 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888156
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2014LHAB-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1550pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-UFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2030-6 (Type B)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2014

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN3055LFDB-7

MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN

diodes

DMP1046UFDB-13

MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

diodes

DMPH6050SPDQ-13

MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50

diodes

BSS138DWQ-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363