Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2014LHAB-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Αποθέμα:
2886 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888156
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2014LHAB-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1550pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-UFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2030-6 (Type B)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2014
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
DMP1046UFDB-13
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
DMPH6050SPDQ-13
MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
