Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG3415U-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG3415U-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Αποθέμα:
33171 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884495
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG3415U-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
294 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG3415
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMG3415UDITR
DMG3415UDIDKR
DMG3415U7
DMG3415UDICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMG4800LFG-7
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
DMN95H2D2HCTI
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
