DMN10H099SK3-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN10H099SK3-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN10H099SK3-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-252-3

Αποθέμα:

5074 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884508
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN10H099SK3-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1172 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
34W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN10H099SK3-13DICT
DMN10H099SK3-13DIDKR
DMN10H099SK3-13DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMG3415U-13

MOSFET P-CH DFN-3

diodes

DMG2301LK-7

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

diodes

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

diodes

DMN4026SK3-13

MOSFET N-CH 40V 28A TO252