DMG1016V-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMG1016V-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMG1016V-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563

Αποθέμα:

78330 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891787
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMG1016V-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
870mA, 640mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60.67pF @ 16V
Ισχύς - Μέγιστη
530mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-563
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG1016

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMG1016V-7DICT
DMG1016V-7DITR
DMG1016V-7DIDKR
DMG1016V7

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMC3036LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

diodes

DMN2024UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

diodes

DMNH6021SPD-13

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

diodes

DMN2019UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP