Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2019UTS-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2019UTS-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Αποθέμα:
27844 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891805
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2019UTS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
143pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
780mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2019
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN2019UTS13
DMN2019UTS-13DIDKR
DMN2019UTS-13DICT
DMN2019UTS-13DITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM6P54TU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6
DMNH6022SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
DMNH6022SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
