AO3160
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

AO3160

Product Overview

Κατασκευαστής:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

AO3160-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 40mA (Ta) 1.39W (Ta) Surface Mount SOT-23A-3

Αποθέμα:

RFQ Online
12850139
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
KDGN
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

AO3160 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.2V @ 8µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.39W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23A-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
AO31

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
AO3160
Φύλλα δεδομένων
AO3160 Datasheet
HTML Δελτίο δεδομένων
AO3160-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS126H6906XTSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7418
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS126H6906XTSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS127H6327XTSA2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
101483
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS127H6327XTSA2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO3160E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8005
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO3160E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS126H6327XTSA2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
123266
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS126H6327XTSA2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQP3P20

MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6314

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

onsemi

FQP19N20C_F080

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

onsemi

FCA36N60NF

MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN