Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
XP60AN750IN
Product Overview
Κατασκευαστής:
YAGEO XSEMI
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
XP60AN750IN-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 1.92W (Ta), 36.7W (Tc) Through Hole TO-220CFM
Αποθέμα:
1000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001984
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
XP60AN750IN Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Tube
Σειρά
XP60AN750
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
59.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2688 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220CFM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
XP60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
5048-XP60AN750IN
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ICE15N73
Superjunction MOSFET
G12P10KE
MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
ICE15N60FP
Superjunction MOSFET
