Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
XP2N1K2EN1
Product Overview
Κατασκευαστής:
YAGEO XSEMI
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
XP2N1K2EN1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723
Αποθέμα:
1000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001041
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
XP2N1K2EN1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
XP2N1K2E
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-723
Συσκευασία / Θήκη
SOT-723
Βασικός αριθμός προϊόντος
XP2N
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
XP9561GI
MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
XP3N1R0MT
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
XP10NA1R5TL
MOSFET N-CH 100V 300A TOLL