Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
WAS530M12BM3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
WAS530M12BM3-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 630A
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount
Αποθέμα:
12988031
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
WAS530M12BM3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Box
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
630A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 127mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1362nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
38900pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
WAS530
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM300NB06LDCR RLG
MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
MSCSM70HM05AG
SIC 4N-CH 700V 349A
SSM6N813R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
