E3M0120090J
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

E3M0120090J

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

E3M0120090J-DG

Περιγραφή:

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Αποθέμα:

512 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12948780
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

E3M0120090J Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
E-Series
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+15V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
414 pF @ 600 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
E3M0120090

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
1697-E3M0120090J

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP1022UWS-7

MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN

vishay-siliconix

IRFBE30STRL

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9530

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

diodes

DMN4009LK3-13

MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3