E3M0060065D
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

E3M0060065D

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

E3M0060065D-DG

Περιγραφή:

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

354 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12987842
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

E3M0060065D Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
37A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 3.6mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
46 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+19V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1170 pF @ 600 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
131W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
1697-E3M0060065D
-3312-E3M0060065D

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPP019N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

goford-semiconductor

GT700P08T

P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10P50W,RQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

toshiba-semiconductor-and-storage

TK110Z65Z,S1F

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4