Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CAS175M12BM3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CAS175M12BM3-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 228A
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 228A (Tc) Chassis Mount
Αποθέμα:
12987454
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CAS175M12BM3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Box
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Source
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
228A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 175A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 43mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
422nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12900pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
CAS175
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
-3312-CAS175M12BM3
1697-CAS175M12BM3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
PJL9812_R2_00201
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
