Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
C2M0040120D
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
C2M0040120D-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
384 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13233304
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
C2M0040120D Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Z-FET™
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
115 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1893 pF @ 1000 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
330W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
C2M0040120
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
G3R40MT12D
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
GeneSiC Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1725
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
G3R40MT12D-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
12.88
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
G3R40MT12K
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
GeneSiC Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1201
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
G3R40MT12K-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
13.01
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
MSC040SMA120B
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
61
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
MSC040SMA120B-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
16.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
C3M0120100J
SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
C3M0120100K
SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L