Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SQD30N05-20L_GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SQD30N05-20L_GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
3507 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13060125
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SQD30N05-20L_GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1175 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SQD30
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
SQD30N05-20L_GE3CT
SQD30N05-20L_GE3-ND
SQD30N05-20L-GE3-ND
SQD30N05-20L-GE3
SQD30N05-20L_GE3TR
SQD30N05-20L_GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI3467DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
SUM70040E-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
