Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI8469DB-T2-E1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI8469DB-T2-E1-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Αποθέμα:
13062100
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI8469DB-T2-E1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
8 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
800mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 4 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-Microfoot
Συσκευασία / Θήκη
4-UFBGA
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI8469
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1CT
SI8469DB-T2-E1TR
SI8469DB-T2-E1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHP5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
SIHD7N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
