Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI7945DP-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI7945DP-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Αποθέμα:
13062417
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI7945DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Βιομήχανος
Vishay Siliconix
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.4W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8 Dual
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7945
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI7945DP-T1-GE3DKR
SI7945DPT1GE3
SI7945DP-T1-GE3CT
SI7945DP-T1-GE3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI7997DP-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
21824
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI7997DP-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.84
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AUIRF7319QTR
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
BSG0811NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
