SI7141DP-T1-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI7141DP-T1-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI7141DP-T1-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Αποθέμα:

19203 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13055911
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI7141DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
14300 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7141

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI7141DP-T1-GE3DKR
SI7141DP-T1-GE3TR
SI7141DPT1GE3
SI7141DP-T1-GE3CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SI4866BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

vishay

SI7483ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

vishay

IRFP064PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

vishay

IRFZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK