Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI7104DN-T1-E3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI7104DN-T1-E3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Αποθέμα:
13058583
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI7104DN-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® 1212-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7104
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
SQJA34EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8