Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI4532CDY-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI4532CDY-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
4029 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13055046
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI4532CDY-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Βιομήχανος
Vishay Siliconix
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A, 4.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
305pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2.78W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI4532
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4936BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
SI4953ADY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC
SI3585DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
