SI4463BDY-T1-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI4463BDY-T1-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI4463BDY-T1-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

4957 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13056856
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI4463BDY-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Last Time Buy
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 13.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI4463

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SI4463BDY-T1-GE3TR
SI4463BDY-T1-GE3CT
SI4463BDY-T1-GE3DKR
SI4463BDYT1GE3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6575
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11716
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6575-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6576
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6797
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6576-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.40
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTMS10P02R2G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2644
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTMS10P02R2G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.62
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SI4176DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

vishay

SI7898DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

vishay

IRFR210TRRPBF

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay

SI4412ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO