Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI3812DV-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI3812DV-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Αποθέμα:
13060452
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
xYYc
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI3812DV-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
LITTLE FOOT®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
600mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI3812
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
SQD50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
