SI1469DH-T1-E3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI1469DH-T1-E3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI1469DH-T1-E3-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Αποθέμα:

14567 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13061697
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI1469DH-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
470 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-70-6
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI1469

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI1469DH-T1-E3DKR
SI1469DH-T1-E3TR
SI1469DHT1E3
SI1469DH-T1-E3CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SIR892DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

vishay

SI3467DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP

vishay

SQM120N10-09_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

vishay

SUD08P06-155L-E3

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252