Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI1416EDH-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI1416EDH-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Αποθέμα:
40484 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13054794
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI1416EDH-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-70-6
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI1416
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI1416EDH-T1-GE3TR
SI1416EDH-T1-GE3DKR
SI1416EDH-T1-GE3-ND
SI1416EDH-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
SI4825DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
