IRFIBF30GPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFIBF30GPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFIBF30GPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

888 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13054080
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFIBF30GPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
35W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFIBF30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

IRF530

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

vishay

IRF740ASTRRPBF

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

vishay

SI4666DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO

vishay

IRFZ48R

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB