IRF614STRR

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF614STRR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF614STRR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

RFQ Online

13052924

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF614STRR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Vishay

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Κατάσταση εξαρτήματος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

250 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

2.7A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

140 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263 (D2PAK)

Συσκευασία / Θήκη

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Βασικός αριθμός προϊόντος

IRF614

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

800

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

RoHS non-compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay

IRLZ34S

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay

IRFPE40PBF

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

vishay

IRFR310TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay

IRFSL31N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK