Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VQ1006P-2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VQ1006P-2-DG
Περιγραφή:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
Αποθέμα:
12811752
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VQ1006P-2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
4 N-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
90V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
400mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
-
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
14-DIP
Βασικός αριθμός προϊόντος
VQ1006
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMWD15UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
PMGD400UN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
