Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VP0808B-2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VP0808B-2-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 80 V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39
Αποθέμα:
12787777
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VP0808B-2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
880mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
6.25W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-39
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Βασικός αριθμός προϊόντος
VP0808
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
20
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
VP0808B
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
SUP50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
