SUM90N10-8M2P-E3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SUM90N10-8M2P-E3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SUM90N10-8M2P-E3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

5540 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12787001
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SUM90N10-8M2P-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6290 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
SUM90

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
SUM90N108M2PE3
SUM90N10-8M2P-E3CT
SUM90N10-8M2P-E3DKR
SUM90N10-8M2P-E3TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SUD50P10-43-E3

MOSFET P-CH 100V 38A TO252

vishay-siliconix

SIHFB20N50K-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

vishay-siliconix

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S