Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SQD97N06-6M3L_GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
398 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12787154
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SQD97N06-6M3L_GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
97A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6060 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
136W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SQD97
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
SQD97N06-6M3L_GE3TR
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
SQD97N06-6M3L_GE3CT
SQD97N06-6M3L-GE3
SQD97N06-6M3L_GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD90N06S4L06ATMA2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3430
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SQR97N06-6M3L_GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1994
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SQR97N06-6M3L_GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SIHD6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
