SQ4284EY-T1_GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SQ4284EY-T1_GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SQ4284EY-T1_GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 3.9W Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

7289 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12920608
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SQ4284EY-T1_GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
45nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2200pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
3.9W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
SQ4284

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SQ4284EY-T1_GE3-DG
SQ4284EY-T1-GE3
SQ4284EY-T1-GE3-DG
SQ4284EY-T1_GE3DKR
SQ4284EY-T1_GE3TR
SQ4284EY-T1_GE3CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

vishay-siliconix

SIA917DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI3993DV-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJ244EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8