SI4876DY-T1-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI4876DY-T1-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI4876DY-T1-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

12965815
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI4876DY-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
600mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI4876

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI4186DY-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4214
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI4186DY-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.40
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

vishay-siliconix

SIHF640S-GE3

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

unitedsic

UJ4C075044K3S

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T