Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI1553DL-T1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI1553DL-T1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Αποθέμα:
12917841
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI1553DL-T1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
660mA, 410mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
600mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
270mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-70-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI1553
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDG6321C
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
33244
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDG6321C-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSD235CH6327XTSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
45987
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSD235CH6327XTSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI1025X-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
SQ1922AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
