Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRL640
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRL640-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
RFQ Online
12911239
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRL640 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRL640
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Packaging Information
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
Q1976162A
*IRL640
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
63317
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRL640PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5642
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRL640PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.93
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF200B211
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4746
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF200B211-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRL640PBF-BE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3309
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRL640PBF-BE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.91
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP19NF20
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP19NF20-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.63
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFP240
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
IXTY2N60P
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
IRLZ14L
MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
IXFX90N30
MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247-3