Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRL510S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRL510S-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12906777
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRL510S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRL510
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
*IRL510S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR9220TRR
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
2N6660JTXL02
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
