IRFR9120TRLPBF-BE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFR9120TRLPBF-BE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFR9120TRLPBF-BE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

8684 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12973014
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
wiEz
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFR9120TRLPBF-BE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFR9120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
742-IRFR9120TRLPBF-BE3DKR
742-IRFR9120TRLPBF-BE3CT
742-IRFR9120TRLPBF-BE3TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJC7412_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD4NA65H_L2_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

infineon-technologies

ISK024NE2LM5AULA1

TRENCH <= 40V PG-VSON-6

panjit

PJC7409_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M