IRFR010PBF-BE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFR010PBF-BE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFR010PBF-BE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 8.2A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12978501
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFR010PBF-BE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFR010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
742-IRFR010PBF-BE3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP510DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH8001STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMT10H9M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMT6012LPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506