IRFI510GPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFI510GPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFI510GPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 4.5A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

963 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12911074
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFI510GPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
27W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFI510

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
*IRFI510GPBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF7822TRL

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

vishay-siliconix

IRFP26N60L

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

vishay-siliconix

IRLZ34STRR

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9Z24SPBF

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK