IRFD9123
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFD9123

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFD9123-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 1A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Αποθέμα:

12863315
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFD9123 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFD9123

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFI624GPBF

MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3

renesas-electronics-america

RJK5002DPD-00#J2

MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A

renesas-electronics-america

RJK0660DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK