IRFD9110PBF

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFD9110PBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFD9110PBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Αποθέμα:

3177 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12959348

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFD9110PBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Vishay

Συσκευασία

Bulk

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

700mA (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 420mA, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

8.7 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

200 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-HVMDIP

Συσκευασία / Θήκη

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Βασικός αριθμός προϊόντος

IRFD9110

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

*IRFD9110PBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay-siliconix

IRFI640GPBF

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

vishay-siliconix

IRLZ34L

MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SI4654DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO