IRFD9020PBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFD9020PBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFD9020PBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Αποθέμα:

5825 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12914677
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFD9020PBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 960mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
570 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFD9020

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
100
Άλλα ονόματα
*IRFD9020PBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFR9014

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

vishay-siliconix

IRFP450PBF

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

littelfuse

IXFH150N17T2

MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD

vishay-siliconix

SI1302DL-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3