Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFD110PBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFD110PBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Αποθέμα:
21588 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12910110
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFD110PBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFD110
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
100
Άλλα ονόματα
*IRFD110PBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFP21N60L
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
IRLZ34
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRF730STRLPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
