Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFD020PBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFD020PBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Αποθέμα:
6607 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12959792
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFD020PBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFD020
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2266-IRFD020PBF
*IRFD020PBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI7454CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
IRFR420TR
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
