IRFD014PBF

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFD014PBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFD014PBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Αποθέμα:

1111 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12868933

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFD014PBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Vishay

Συσκευασία

Bulk

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

60 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

1.7A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

310 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-HVMDIP

Συσκευασία / Θήκη

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Βασικός αριθμός προϊόντος

IRFD014

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

*IRFD014PBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay-siliconix

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRF730A

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB