Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF9630STRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF9630STRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12858751
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF9630STRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
700 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF9630
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9630STRLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1180
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9630STRLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHF9630STRL-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
785
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHF9630STRL-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFS5C404NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
NTMFS4922NET1G
MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
NVMFS5C404NLT1G
MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
